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元件参数资料
>
参数目录38260
> 2SK3117 MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PSM
型号:
2SK3117
RoHS:
否
制造商:
Toshiba
描述:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PSM
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
2SK3117 PDF
标准包装
50
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3720pF @ 10V
功率 - 最大
150W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-3P(SM)
包装
管件
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